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Rohm罗姆半导体HP8KB6TB1芯片40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO的技术和方案应用介绍
2025-01-24
Rohm罗姆半导体HP8KB6TB1芯片:HP8KB6TB1是一款采用HSOP8封装的高性能N沟道功率MOSFET,由Rohm罗姆半导体公司生产。这款芯片的特点是采用双NCH+NCH的架构,能够提供40V和24A的电流规格,适用于各种电源管理、电机驱动和其他高功率应用领域。 HP8KB6TB1芯片具有出色的电气性能和热性能,能够在高功率密度下实现高效转换。其双NCH+NCH架构能够提供更高的输入阻力和更低的导通电阻,从而提高了整体效率。此外,芯片还具有低导通电容和快速开关特性,使得它在电源管理
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