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标题：Rohm罗姆半导体HS8MA2TCR1芯片MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 9DFN技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体HS8MA2TCR1芯片是一款高性能的N/P-CH 30V 5A/7A MOSFET器件，采用9DFN封装技术。该技术是一种先进的封装形式，具有高功率密度、高热导率、高耐压等特点，适用于各种高功率、大电流应用场景。 HS8MA2TCR1芯片的主要特点包括：高电压30V耐压，高电流5A/7A可供选择，快速导通特性，低通态损耗，高开关速度以及高可靠性。这些特点使