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标题：Rohm罗姆半导体HT8KE5TB1芯片MOSFET技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体HT8KE5TB1芯片是一款采用先进技术制造的MOSFET器件，其特性为2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT。这款芯片以其高效率、低损耗和高速响应等特性，在各种电子设备中发挥着重要的作用。 首先，HT8KE5TB1芯片的电气特性表现出色。它能在高达100V的电压下工作，最大电流可达2.5A/7A，这使得它在许多需要大电流和高电压的场合中都能发挥出色的性能。其8HSMT的封装方式，使其具有优良