QS8M12TCR 相关话题

Rohm罗姆半导体QS8M12TCR芯片：MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8的技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体推出的QS8M12TCR芯片是一款高性能的MOSFET N/P-CH，采用TSMT8技术制造，具有30V 4A的出色性能。这款芯片在许多应用领域中具有广泛的应用前景，本文将对其技术和方案应用进行详细介绍。 技术特点： 1. 栅极驱动电压范围宽，可在3V至25V之间调节。 2. 最大漏源电压高达30V，可承受较大的电压和电流。 3. 最大连续电流可达4A，适用于需要高