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标题:Infineon(IR) AIGB50N65H5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体DISCRETE SWITCHES在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)公司推出的AIGB50N65H5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES以其独特的性能和方案,成为了行业内的佼佼者。 AIGB50N65H5ATMA1功率半导体DISCRETE SWITCHES采用了先进的氮化镓技术,具有高效率、高频率、
LT®1763 系列是微功率、低噪声、低压差稳压器。这些器件能够提供 500mA 的输出电流和一个 300mV 的压差电压。该系列专为在电池供电型系统中使用而设计,30μA 的低静态电流使其成为一种理想的选择。静态电流处于良好受控状态;与采用其他许多稳压器不同,这系列在降压时的静态电流并不上升。 LT1763 稳压器的一个重要特点是具有低输出噪声。在增设一个外部 0.01μF 旁路电容器的情况下,输出噪声将降至 20μVRMS (在一个 10Hz 至 100kHz 的带宽之内)。LT1763
标题:IXYS艾赛斯IXBK75N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXBK75N170功率半导体IGBT是一款性能卓越的功率电子器件。这款器件采用先进的TO264封装形式,具有1700V的耐压和200A的电流容量,总功率输出达到惊人的1040W。这种高性能的IGBT在许多工业应用中,如电机驱动、电源转换和太阳能发电等领域,都有着广泛的应用。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXBK75N170功率半导体IGBT的技术特点。这款器件采用了IXYS艾赛斯公司独特的
标题:Infineon(IR) IKB40N65EF5ATMA1功率半导体40A 650V TRENCHSTOP5 ULTRA FAST技术及其应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子设备在各个领域的应用越来越广泛。在这个背景下,Infineon(IR)的IKB40N65EF5ATMA1功率半导体器件以其卓越的性能和解决方案,成为了业界的焦点。该器件是一款具有40A电流容量和650V耐压的功率MOSFET,采用了TRENCHSTOP5和ULTRA FAST技术,为电力电子应用提供了强大的支持。
功率包括电功率、机械功率。电功率又包括直流电功率、交流电功率和射频功率;交流功率又包括正弦电路功率和非正弦电路功率;机械功率又包括线位移功率和角位移功率,角位移功率常见于电机输出功率;电功率还可分为瞬时功率、平均功率(有功功率)、无功功率、视在功率。 三相功率计算公式 三相功率计算公式(有功功率)可以采用三个单相独立测量再求和的方式进行计算。 P=PA+PB+PC 对于三相三线制电路,也可采用二瓦计法,三相功率计算公式为: P=PAB+PCB或P=PCA+PBA或P=PBC+PAC 对于正弦三
标题:IXYS艾赛斯IXGK100N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在现代工业中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司作为全球领先的功率半导体供应商,其IXGK100N170功率半导体IGBT在工业、能源、交通等众多领域中发挥着重要作用。本文将围绕IXGK100N170的特性和应用,以及相关技术方案进行介绍。 一、IXGK100N170特性 IXGK100N170是一款高性能的功率半导体IGBT,其特点包括: 1. 高效节能:IXGK100N170具有优秀
标题:Infineon(IR) AIKB20N60CTATMA1功率半导体IC DISCRETE 600V TO263-3的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体IC在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR) AIKB20N60CTATMA1功率半导体IC,作为一款DISCRETE 600V TO263-3规格的IC,以其卓越的性能和广泛的应用领域,受到了广大工程师的青睐。 首先,我们来了解一下AIKB20N60CTATMA1的主要技术参数。这款IC采用先进的沟槽N-MO
标题:IXYS艾赛斯IXBH42N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXBH42N170是一种高性能的功率半导体IGBT,其额定电压为1700V,额定电流为80A,最大漏极功率为360W。这款产品采用TO247封装,具有体积小、重量轻、效率高等优点,特别适合于需要高功率密度、高效率的电源应用。 二、技术特点 IXBH42N170采用了IXYS艾赛斯独特的技术,包括高耐压设计、低导通电阻、快速开关特性等,这些特性使得其在各种电源应用中表现出色。具体来说,这款产品
标题:Infineon(IR) IKD15N60RFATMA1功率半导体IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3的技术和方案应用介绍 随着电子技术的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)公司的IKD15N60RFATMA1功率半导体IGBT作为一种重要的功率电子器件,具有较高的工作频率、良好的热稳定性以及较长的使用寿命等特点,被广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍Infineon(IR)IKD15N60RFATMA1功率半导体IGBT
标题:IXYS艾赛斯IXGH32N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXGH32N170是一款高性能的功率半导体IGBT,其工作电压高达1700V,电流容量为75A,总功率输出为350W。这款产品采用了TO247AD封装,具有高效率、高功率密度、高可靠性等特点,适用于各种高电压、大电流的电子设备,如电源转换、电机驱动、太阳能逆变器等。 二、应用领域 1. 电源转换:IXGH32N170可广泛应用于各类电源转换设备中,如UPS电源、服务器电源、工业电源等。通过控