Rohm罗姆半导体SH8M11TB1芯片MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SH8M11TB1芯片：MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP的技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体推出了一款新型MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP芯片，该芯片以其出色的性能和卓越的特性，在许多电子设备中发挥着关键作用。 首先，该芯片采用了先进的半导体技术，具有高速度、低损耗和长寿命等优点。其工作电压为30V，最大电流为3.5A，适用于各种需要大电流和高电压应用的场合。其次，该芯片采用了8SOP封装，具有优良的散热性能和易于安装的特点。这使得

Rohm罗姆半导体HT8KC6TB1芯片60V 15A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO的技术和方案应用介绍

标题：Rohm罗姆半导体HT8KC6TB1芯片：60V 15A，HSMT8，DUAL NCH+NCH，PO技术的强大应用 Rohm罗姆半导体近期发布的HT8KC6TB1芯片，以其60V、15A的强大性能，HSMT8封装以及DUAL NCH+NCH技术，为业界带来了一种全新的解决方案。此款芯片在电源管理、电动车、太阳能等领域具有广泛的应用前景。 首先，HT8KC6TB1的60V和15A的规格使其在高压大电流应用中表现出色。其HSMT8封装设计，使得它在空间有限的应用场景中具有很高的实用性。而DU

Rohm罗姆半导体QS8J1TR芯片MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体推出的QS8J1TR芯片是一款高性能的MOSFET管，其具有2P-CH（双极性通道）结构，适用于各种电源管理应用。该芯片采用12V供电，最大电流可达4.5A，具有高效率、低导通电阻和高可靠性等特点。 该芯片在技术上采用了先进的TSMT8工艺，具有优异的电气性能和可靠性。其低导通电阻可以降低功耗，提高电源效率，同时高可靠性可以保证系统的稳定运行。此外，QS8J1TR芯片还具有较高的开关频率和良好的热稳定性，使其在各种恶劣环境下都能保持良好的性能。 在方案应用方面，Rohm罗姆半

Rohm罗姆半导体QH8JE5TCR芯片-100V DUAL PCH+PCH, TSMT8, POWER的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体QH8JE5TCR芯片：100V DUAL PCH+PCH TSMT8，POWER的技术应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其QH8JE5TCR芯片是一款高性能、低功耗的100V DUAL PCH+PCH TSMT8，POWER芯片，广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍该芯片的技术特点和方案应用。 首先，QH8JE5TCR芯片采用了先进的工艺技术，具有出色的性能和稳定性。它支持多种工作模式，可以根据实际需求进行调节，以满足不同场景下的功耗需求。此外，该芯片

Rohm罗姆半导体BSM180D12P3C007芯片SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体BSM180D12P3C007芯片SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE的技术与方案应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其BSM180D12P3C007芯片是一款高性能的SIC器件，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。该芯片适用于各种高电压、大电流的场合，如逆变器、电源模块等。 BSM180D12P3C007芯片采用SIC工艺技术，具有优异的电气性能和热稳定性。该芯片的额定工作电压为1200V，最大电流为180A，能够满足大多数电源模块的需求

Rohm罗姆半导体HP8M31TB1芯片MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体HP8M31TB1芯片：MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体HP8M31TB1芯片是一款高性能的MOSFET N/P-CH，采用8HSOP封装，具有60V 8.5A的规格，适用于各种电子设备中。 首先，HP8M31TB1芯片采用先进的MOSFET技术，具有高开关速度、低导通电阻、高效率等特点。在应用中，它能够快速地导通和截止，降低了功耗和发热量，提高了系统的稳定性和可靠性。 其次，该芯片支持多种工作模式，可以根据不同的应用

Rohm罗姆半导体QH8MA3TCR芯片MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其QH8MA3TCR芯片是一款高性能的MOSFET N/P-CH，具有30V和7A/5.5A的规格，适用于各种电子设备的电源管理。 首先，QH8MA3TCR芯片采用了先进的TSMT8技术，具有低功耗、高效率和高速度等优点。它的工作温度范围广，稳定性好，可靠性高，适合在各种恶劣环境下使用。此外，该芯片还具有优异的导通电阻和开关速度，能够有效地降低电源损耗，提高电源的效率和质量。 在方案应用方面，QH8MA3TCR芯片可以广泛应用于各类电子设备的电源管

Rohm罗姆半导体BSM180D12P2E002芯片SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其BSM180D12P2E002芯片是一款高性能的SIC功率芯片，具有高效率、高功率密度、高耐压等特点，适用于各种电子设备中。 该芯片采用SIC工艺技术，具有较高的频率响应和较低的噪声，能够有效地提高电子设备的性能和效率。同时，该芯片还具有较高的耐压和较大的电流容量，适用于各种高电压、大电流的应用场景。 在方案应用方面，Rohm罗姆半导体提供了一款1200V 204A MODULE，该模块将BSM180D12P2E002芯片与其他元器件集成在一起，

Rohm罗姆半导体TT8J3TR芯片MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8TSST的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其TT8J3TR芯片是一款高性能的MOSFET芯片，具有多种技术特点和应用方案。 首先，TT8J3TR芯片采用了先进的2P-CH技术，具有高导通电阻、低噪声和低功耗等特点。同时，该芯片还具有30V的工作电压和2.5A的电流输出能力，适用于各种电子设备的电源管理、功率转换和控制等领域。 其次，该芯片还采用了8TSST的封装技术，具有高稳定性和高可靠性等特点。这种封装技术可以有效地减少芯片的内部应力，延长其使用寿命，提高其工作稳定性。 在应用方案方面，

Rohm罗姆半导体BSM450D12P4G102芯片SIC 2N-CH 1200V 447A MODULE的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其BSM450D12P4G102芯片是一款高性能的SIC系列芯片，具有高耐压、大电流、高速等优点。该芯片采用先进的工艺技术制造，具有优异的性能和稳定性。 BSM450D12P4G102芯片是一款高速数字芯片，适用于各种高速数字电路模块，如MODULE。该MODULE具有高耐压、大电流、高速等特点，适用于各种高电压、大电流的场合。该MODULE采用先进的封装技术，具有优异的散热性能和电气性能，能够满足各种严酷的应用环境。 在使用该芯片和MODULE时

Rohm罗姆半导体HT8KB5TB1芯片40V 12A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体HT8KB5TB1芯片40V 12A：HSMT8技术应用介绍 Rohm罗姆半导体近期推出了一款备受瞩目的芯片——HT8KB5TB1，这款芯片具有40V 12A的强大规格，适用于各种高性能应用场景。在此，我们将为您详细介绍这款芯片的技术特点和方案应用。 技术特点： 1. DUAL NCH+NCH架构：该芯片采用独特的双N通道加单N通道架构，极大地提高了电源效率和工作温度范围。 2. HSMT8封装：采用HSMT8封装，该封装具有更高的散热性能和空间利用率，适用于需要高功率密度的

Rohm罗姆半导体BSM300D12P3E005芯片SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体BSM300D12P3E005芯片SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE的技术与方案应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其BSM300D12P3E005芯片SIC 2N-CH是一款高性能的模块，具有1200V、300A的规格，适用于各种高电压、大电流的应用场景。该芯片采用SIC技术，具有高效率、低损耗的特点，可广泛应用于新能源汽车、智能电网等领域。 该芯片的技术特点包括：采用SIC技术，具有高效率、低损耗的特点；采用模块化设计，可实现高电压