Rohm罗姆半导体BSM080D12P2C008芯片SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其BSM080D12P2C008芯片SIC 2N-CH是一款高性能的模块化功率器件，适用于各种应用场景。本文将介绍该芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 BSM080D12P2C008芯片采用SIC工艺制造，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。该芯片的额定电压为1200V，额定电流为80A，能够承受较大的瞬时过载电流。此外，该芯片还具有低损耗、高效率、高可靠性等特点，适用于各种需要大功率输出的场合。 二、方案应用 该芯片适用于各种需要大功率输出的

Rohm罗姆半导体SH8K41GZETB芯片MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SH8K41GZETB芯片MOSFET技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体供应商，其SH8K41GZETB芯片是一款高性能的MOSFET器件，具有2N-CH 80V 3.4A的技术规格，适用于各种电子设备中。 该芯片采用先进的MOSFET技术，具有高效率、低功耗、高耐压、大电流等优点，适用于电源管理、电机控制、智能家电、车载电子等领域。其8SOP封装形式，使得该芯片具有易于安装、维护方便的特点，满足了广大用户对小型化、轻量化、高效能的需求。 在使用该芯片时

Rohm罗姆半导体BSM120D12P2C005芯片MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其BSM120D12P2C005芯片是一款高性能的MOSFET芯片，具有120A的电流容量和1200V的电压范围。这款芯片具有出色的电气性能和可靠性，适用于各种电子设备中。 该芯片采用模块化的设计，具有易于安装和使用的特点。它适用于各种电源管理、电机驱动和功率转换应用，如电动汽车、太阳能逆变器、UPS电源等。该芯片的优点包括低导通电阻、快速响应时间、高开关频率和低功耗等，使其在各种高功率应用中具有出色的表现。 使用该芯片的技术方案包括将其与适当的驱

Rohm罗姆半导体SP8M24FRATB芯片MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8M24FRATB芯片MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体SP8M24FRATB芯片是一款高性能的N/P-CH系列MOSFET器件，具有45V、4.5A的规格，适用于各种电子设备中。该芯片采用8针SOIC封装，具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点，因此在电源管理、电机控制、变频器等领域具有广泛的应用前景。 技术特点： 1. 高耐压：该芯片可承受高达45V的电压，保证了在使用过程中的安全性和稳定性。 2. 大电流：芯片的额

Rohm罗姆半导体SP8M21FRATB芯片MOSFET N/P-CH 45V 6A/4A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8M21FRATB芯片MOSFET N/P-CH 45V 6A/4A 8SOP的技术与方案应用介绍 Rohm罗姆半导体SP8M21FRATB芯片是一款高性能的N/P-Channel MOSFET，采用8引脚SOP封装。该芯片具有45V、6A/4A的额定电流和电压，适用于各种电源管理、电机控制和汽车电子等应用领域。 该芯片采用先进的MOSFET技术，具有高导通电阻、快速响应和低功耗等特点，适用于各种开关电源、充电器、逆变器、马达控制器等电源管理应用。同时，其快速响应特性也适

Rohm罗姆半导体SH8K10SGZETB芯片MOSFET 2N-CH 30V 7A/8.5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SH8K10SGZETB芯片MOSFET技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体供应商，其SH8K10SGZETB芯片是一款高性能的MOSFET器件，具有2N-CH 30V 7A/8.5A 8SOP的技术规格。这款芯片在许多领域都有广泛的应用，特别是在电力电子和汽车电子领域。 MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种重要的半导体器件，具有开关速度快、功耗低、栅极可承受高电压等优点。Rohm罗姆半导体的这款芯片正是基于这些优点，适用于各种需要高效率、

Rohm罗姆半导体SP8K1FRATB芯片MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8K1FRATB芯片是一款高性能的MOSFET器件，采用2N-CH 30V 5A 8SOP封装形式。该芯片具有高输入阻抗、低导通电阻、高开关速度等优点，适用于各种电子设备中。 技术特点： 1. 高输入阻抗，降低功耗和发热量； 2. 低导通电阻，提高电路效率； 3. 高开关速度，减小电路响应时间； 4. 耐压等级高，适用于各种电压范围的应用场景。 方案应用： 1. 电源管理：SP8K1FRATB芯片可广泛应用于电源管理电路中，如LED驱动、电池充电管理等。通过该芯片的高效开

Rohm罗姆半导体SP8K33FRATB芯片MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8K33FRATB芯片是一款高性能的MOSFET器件，采用2N-CH 60V 5A 8SOP封装形式。该芯片具有高输入阻抗、低导通电阻、快速响应等特点，适用于各种电子设备中。 首先，该芯片采用先进的半导体工艺技术，具有优异的电气性能和可靠性。其次，该芯片具有较高的耐压和较大的电流容量，适用于需要大电流开关的场合。此外，该芯片还具有较快的响应速度，可以满足高频应用的需求。 在方案应用方面，Rohm罗姆半导体SP8K33FRATB芯片可以应用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域

Rohm罗姆半导体SP8K1TB芯片MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其SP8K1TB芯片是一款高性能的MOSFET芯片，具有出色的性能和广泛的应用领域。该芯片采用先进的工艺技术，具有高速度、低功耗、高效率等特点，适用于各种电子设备，如电源管理、电机控制、无线通信等。 SP8K1TB芯片采用2N-CH（通道尺寸）技术，具有高导通电阻比和快速响应速度，可在高温、高压等恶劣环境下稳定工作。该芯片的额定电压为30V，额定电流为5A，适用于大功率应用场景。此外，该芯片采用8SOP（小型塑封封装）形式，具有低成本、高可靠性的特

Rohm罗姆半导体TT8J11TCR芯片MOSFET 2P-CH 12V 3.5A 8TSST的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其TT8J11TCR芯片是一款高性能的MOSFET器件，具有2P-CH接口，适用于各种应用场景。本文将介绍该芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. 高性能：TT8J11TCR芯片采用先进的MOSFET技术，具有高导通电阻、低导通时间等特性，适用于各种高功率应用场景。 2. 高速响应：该芯片具有快速响应速度，能够快速控制电流的变化，适用于需要快速切换的电子设备。 3. 高稳定性：该芯片具有较高的稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下长期稳定工

Rohm罗姆半导体SH8K1TB1芯片MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SH8K1TB1芯片是一款高性能的MOSFET，采用2N-CH 30V 5A 8SOP封装，具有出色的性能和广泛的应用前景。 该芯片的特点是：高电流通过能力、低导通电阻、快速响应时间等，适用于各种电子设备，如电源管理、电机驱动、射频前端等。它的工作电压范围广，能够在30V的电压下提供5A的电流，同时保持较低的导通电阻，有助于提高系统的效率和降低功耗。 使用该芯片的技术方案如下：首先，根据应用需求选择合适的芯片型号和封装形式；其次，根据电路设计要求，确定芯片的连接方式和电路参数

Rohm罗姆半导体HP8KC7TB1芯片60V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO的技术和方案应用介绍

标题：Rohm罗姆半导体HP8KC7TB1芯片：60V 24A，Dual NCH+NCH，HSOP8封装技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体HP8KC7TB1芯片是一款高性能的60V 24A，Dual NCH+NCH，HSOP8封装的新型功率器件。此芯片凭借其出色的性能和可靠性，已在多个领域得到广泛应用。 HP8KC7TB1的主要特点包括：高电压、大电流能力，低损耗，高效率，以及良好的热稳定性。这些特性使其在各种高功率应用中表现出色，如电动汽车、太阳能逆变器、UPS电源、电动工具等。 HP8KC