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2025-03
Rohm罗姆半导体BSM180D12P2E002芯片SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其BSM180D12P2E002芯片是一款高性能的SIC功率芯片，具有高效率、高功率密度、高耐压等特点，适用于各种电子设备中。 该芯片采用SIC工艺技术，具有较高的频率响应和较低的噪声，能够有效地提高电子设备的性能和效率。同时，该芯片还具有较高的耐压和较大的电流容量，适用于各种高电压、大电流的应用场景。 在方案应用方面，Rohm罗姆半导体提供了一款1200V 204A MODULE，该模块将BSM180D12P2E002芯片与其他元器件集成在一起，
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2025-02
Rohm罗姆半导体TT8J3TR芯片MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8TSST的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其TT8J3TR芯片是一款高性能的MOSFET芯片，具有多种技术特点和应用方案。 首先，TT8J3TR芯片采用了先进的2P-CH技术，具有高导通电阻、低噪声和低功耗等特点。同时，该芯片还具有30V的工作电压和2.5A的电流输出能力，适用于各种电子设备的电源管理、功率转换和控制等领域。 其次，该芯片还采用了8TSST的封装技术，具有高稳定性和高可靠性等特点。这种封装技术可以有效地减少芯片的内部应力，延长其使用寿命，提高其工作稳定性。 在应用方案方面，
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2025-02
Rohm罗姆半导体BSM450D12P4G102芯片SIC 2N-CH 1200V 447A MODULE的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其BSM450D12P4G102芯片是一款高性能的SIC系列芯片，具有高耐压、大电流、高速等优点。该芯片采用先进的工艺技术制造，具有优异的性能和稳定性。 BSM450D12P4G102芯片是一款高速数字芯片，适用于各种高速数字电路模块，如MODULE。该MODULE具有高耐压、大电流、高速等特点，适用于各种高电压、大电流的场合。该MODULE采用先进的封装技术，具有优异的散热性能和电气性能，能够满足各种严酷的应用环境。 在使用该芯片和MODULE时
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2025-02
Rohm罗姆半导体HT8KB5TB1芯片40V 12A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体HT8KB5TB1芯片40V 12A：HSMT8技术应用介绍 Rohm罗姆半导体近期推出了一款备受瞩目的芯片——HT8KB5TB1，这款芯片具有40V 12A的强大规格，适用于各种高性能应用场景。在此，我们将为您详细介绍这款芯片的技术特点和方案应用。 技术特点： 1. DUAL NCH+NCH架构：该芯片采用独特的双N通道加单N通道架构，极大地提高了电源效率和工作温度范围。 2. HSMT8封装：采用HSMT8封装，该封装具有更高的散热性能和空间利用率，适用于需要高功率密度的
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2025-02
Rohm罗姆半导体BSM300D12P3E005芯片SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体BSM300D12P3E005芯片SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE的技术与方案应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其BSM300D12P3E005芯片SIC 2N-CH是一款高性能的模块，具有1200V、300A的规格，适用于各种高电压、大电流的应用场景。该芯片采用SIC技术，具有高效率、低损耗的特点，可广泛应用于新能源汽车、智能电网等领域。 该芯片的技术特点包括：采用SIC技术，具有高效率、低损耗的特点；采用模块化设计，可实现高电压
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2025-02
Rohm罗姆半导体BSM080D12P2C008芯片SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其BSM080D12P2C008芯片SIC 2N-CH是一款高性能的模块化功率器件，适用于各种应用场景。本文将介绍该芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 BSM080D12P2C008芯片采用SIC工艺制造，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。该芯片的额定电压为1200V，额定电流为80A，能够承受较大的瞬时过载电流。此外，该芯片还具有低损耗、高效率、高可靠性等特点，适用于各种需要大功率输出的场合。 二、方案应用 该芯片适用于各种需要大功率输出的
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2025-02
Rohm罗姆半导体SH8K41GZETB芯片MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体SH8K41GZETB芯片MOSFET技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体供应商，其SH8K41GZETB芯片是一款高性能的MOSFET器件，具有2N-CH 80V 3.4A的技术规格，适用于各种电子设备中。 该芯片采用先进的MOSFET技术，具有高效率、低功耗、高耐压、大电流等优点，适用于电源管理、电机控制、智能家电、车载电子等领域。其8SOP封装形式，使得该芯片具有易于安装、维护方便的特点，满足了广大用户对小型化、轻量化、高效能的需求。 在使用该芯片时
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2025-02
Rohm罗姆半导体BSM120D12P2C005芯片MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其BSM120D12P2C005芯片是一款高性能的MOSFET芯片，具有120A的电流容量和1200V的电压范围。这款芯片具有出色的电气性能和可靠性，适用于各种电子设备中。 该芯片采用模块化的设计，具有易于安装和使用的特点。它适用于各种电源管理、电机驱动和功率转换应用，如电动汽车、太阳能逆变器、UPS电源等。该芯片的优点包括低导通电阻、快速响应时间、高开关频率和低功耗等，使其在各种高功率应用中具有出色的表现。 使用该芯片的技术方案包括将其与适当的驱
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2025-02
Rohm罗姆半导体SP8M24FRATB芯片MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体SP8M24FRATB芯片MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体SP8M24FRATB芯片是一款高性能的N/P-CH系列MOSFET器件，具有45V、4.5A的规格，适用于各种电子设备中。该芯片采用8针SOIC封装，具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点，因此在电源管理、电机控制、变频器等领域具有广泛的应用前景。 技术特点： 1. 高耐压：该芯片可承受高达45V的电压，保证了在使用过程中的安全性和稳定性。 2. 大电流：芯片的额
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2025-02
Rohm罗姆半导体SP8M21FRATB芯片MOSFET N/P-CH 45V 6A/4A 8SOP的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体SP8M21FRATB芯片MOSFET N/P-CH 45V 6A/4A 8SOP的技术与方案应用介绍 Rohm罗姆半导体SP8M21FRATB芯片是一款高性能的N/P-Channel MOSFET，采用8引脚SOP封装。该芯片具有45V、6A/4A的额定电流和电压，适用于各种电源管理、电机控制和汽车电子等应用领域。 该芯片采用先进的MOSFET技术，具有高导通电阻、快速响应和低功耗等特点，适用于各种开关电源、充电器、逆变器、马达控制器等电源管理应用。同时，其快速响应特性也适
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2025-02
Rohm罗姆半导体SH8K10SGZETB芯片MOSFET 2N-CH 30V 7A/8.5A 8SOP的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体SH8K10SGZETB芯片MOSFET技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体供应商，其SH8K10SGZETB芯片是一款高性能的MOSFET器件，具有2N-CH 30V 7A/8.5A 8SOP的技术规格。这款芯片在许多领域都有广泛的应用，特别是在电力电子和汽车电子领域。 MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种重要的半导体器件，具有开关速度快、功耗低、栅极可承受高电压等优点。Rohm罗姆半导体的这款芯片正是基于这些优点，适用于各种需要高效率、
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2025-02
Rohm罗姆半导体SP8K1FRATB芯片MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体SP8K1FRATB芯片是一款高性能的MOSFET器件，采用2N-CH 30V 5A 8SOP封装形式。该芯片具有高输入阻抗、低导通电阻、高开关速度等优点，适用于各种电子设备中。 技术特点： 1. 高输入阻抗，降低功耗和发热量； 2. 低导通电阻，提高电路效率； 3. 高开关速度，减小电路响应时间； 4. 耐压等级高，适用于各种电压范围的应用场景。 方案应用： 1. 电源管理：SP8K1FRATB芯片可广泛应用于电源管理电路中，如LED驱动、电池充电管理等。通过该芯片的高效开