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07
2025-01
Rohm罗姆半导体SP8M31HZGTB芯片MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体SP8M31HZGTB芯片MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其SP8M31HZGTB芯片是一款高性能的MOSFET N/P-CH芯片，具有60V和4.5A的技术规格，适用于各种电子设备。 SP8M31HZGTB芯片采用先进的半导体工艺技术制造而成，具有高效率、低功耗、高速度、高耐压等特点，适用于各种电源管理、电机驱动、逆变器等应用领域。该芯片的封装形式为8SOP，方便了电路板的安装和焊接。 在应
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05
2025-01
Rohm罗姆半导体SP8K2HZGTB芯片MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体SP8K2HZGTB芯片MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体SP8K2HZGTB芯片是一款高性能的MOSFET管，采用2N-CH 30V 6A 8SOP封装形式。该芯片具有高输入阻抗、低导通电阻、快速响应时间等特点，适用于各种电源管理、电机控制和电子设备等领域。 该芯片的技术特点包括：采用先进的沟槽技术，具有高导通电阻率、低功耗和快速响应速度；支持30V的电压工作范围，能够承受较大的电流冲击；具有较长的使用寿命和良好的温度稳定性，
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03
2025-01
Rohm罗姆半导体SP8K33HZGTB芯片MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体SP8K33HZGTB芯片MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体SP8K33HZGTB芯片是一款高性能的MOSFET管，采用2N-CH 60V 5A 8SOP封装形式。该芯片具有高效率、低损耗、高耐压、高电流等优点，广泛应用于电源管理、电机控制、变频器、电子镇流器等领域。 SP8K33HZGTB芯片采用先进的制造工艺，具有优异的电气性能和可靠性。该芯片内部集成度高，结构紧凑，具有较高的集成度，可以大大减少电路板的空间，降低成本。此外
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02
2025-01
Rohm罗姆半导体SP8K22HZGTB芯片MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOP的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体SP8K22HZGTB芯片MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体SP8K22HZGTB芯片是一款高性能的MOSFET器件，采用2N-CH 45V 4.5A 8SOP封装形式。该芯片具有高输入阻抗、低导通电阻、快速响应等特点，适用于各种电子设备中。 SP8K22HZGTB芯片的技术特点包括高速响应、高耐压、高电流能力以及低功耗等。这些特点使得该芯片在许多应用场景中具有显著的优势，如电源管理、电机驱动、射频功率放大器等。该芯片还具有
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01
2025-01
Rohm罗姆半导体SH8K37GZETB芯片MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体SH8K37GZETB芯片MOSFET技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其SH8K37GZETB芯片是一款高性能的MOSFET器件，具有2N-CH 60V 5.5A的技术规格，适用于各种电子设备中。本文将介绍该芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 SH8K37GZETB芯片采用先进的2N-CH技术，具有高达60V的栅极电压和5.5A的导通电流，具有高效率和低功耗的特点。该芯片还具有高可靠性、高开关速度和低导通电阻等优点，因此在各种电子设备中具有
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2024-12
Rohm罗姆半导体SH8K32GZETB芯片MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体SH8K32GZETB芯片MOSFET技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其SH8K32GZETB芯片是一款高性能的MOSFET器件，具有2N-CH 60V 4.5A的技术规格，适用于各种电子设备。 MOSFET器件是一种重要的半导体器件，具有高速度、低功耗、易控制等特点，因此在各种电子设备中得到了广泛应用。Rohm罗姆半导体的这款芯片，以其出色的性能和稳定性，在众多应用场景中发挥着重要作用。 该芯片采用8SOP封装，具有优良的散热性能和电气性能，能
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2024-12
Rohm罗姆半导体SH8KA2GZETB芯片MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其生产的SH8KA2GZETB芯片是一款高性能的MOSFET器件，具有2N-CH结构，能够承受高达30V的电压，并具有8A的电流容量。这款芯片在许多领域都有着广泛的应用，特别是在电力电子和汽车电子领域。 MOSFET器件是一种重要的半导体器件，具有开关速度快、效率高、体积小等优点。Rohm罗姆半导体的这款芯片采用先进的生产工艺，具有较高的可靠性，能够适应各种复杂的工作环境。它的工作原理是基于半导体PN结的电导变化，通过控制电流的通断，实现电子设备的
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2024-12
Rohm罗姆半导体HP8KA1TB芯片MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其HP8KA1TB芯片是一款高性能的MOSFET芯片，具有出色的性能和广泛的应用领域。该芯片采用先进的2N工艺制造，具有高速度、低噪声、低损耗等优点，适用于各种电子设备和系统。 HP8KA1TB芯片的栅极最高耐压为30V，最大漏电流为14A，封装形式为8HSOP。这些参数使得该芯片在各种电源管理、电机驱动、高频放大、射频通讯等应用领域中具有广泛的应用前景。 该芯片的技术特点包括高速度、低噪声、低损耗、高效率、高可靠性等。这些特点使得该芯片在各种高功
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2024-12
Rohm罗姆半导体HS8MA2TCR1芯片MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 9DFN的技术和方案应用介绍
标题：Rohm罗姆半导体HS8MA2TCR1芯片MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 9DFN技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体HS8MA2TCR1芯片是一款高性能的N/P-CH 30V 5A/7A MOSFET器件，采用9DFN封装技术。该技术是一种先进的封装形式，具有高功率密度、高热导率、高耐压等特点，适用于各种高功率、大电流应用场景。 HS8MA2TCR1芯片的主要特点包括：高电压30V耐压，高电流5A/7A可供选择，快速导通特性，低通态损耗，高开关速度以及高可靠性。这些特点使
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27
2024-12
Rohm罗姆半导体QH8KA3TCR芯片MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其QH8KA3TCR芯片是一款高性能的MOSFET器件，具有2N-CH 30V 9A的规格，适用于各种电子设备中。该芯片采用TSMT8工艺制造，具有高效、可靠、耐高温等特点，适用于各种高温环境下的应用。 MOSFET器件是一种重要的半导体器件，具有开关速度快、功耗低、热稳定性好等优点，因此在电源管理、电机控制、通信等领域得到了广泛应用。QH8KA3TCR芯片作为一款高性能的MOSFET器件，其应用范围非常广泛。 该芯片适用于电源管理电路中，可以作为
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2024-12
Rohm罗姆半导体QS8K11TCR芯片MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其生产的QS8K11TCR芯片是一款高性能的MOSFET器件，具有2N-CH结构，工作电压为30V，最大电流为3.5A。这款芯片在许多领域都有着广泛的应用，特别是在电子设备、电源管理、通信等领域。 MOSFET器件是一种重要的半导体器件，具有开关速度快、功耗低、易于集成等优点。QS8K11TCR芯片采用了TSMT8工艺技术，具有较高的性能和可靠性。该芯片的应用范围非常广泛，可以应用于各种电子设备中，如电源管理电路、通信设备、汽车电子设备等。 在电源
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2024-12
Rohm罗姆半导体SH8K26GZ0TB芯片MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP的技术和方案应用介绍
Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其生产的SH8K26GZ0TB芯片是一款高性能的MOSFET器件，具有40V 6A的规格，适用于各种电子设备中。 该芯片采用先进的工艺技术，具有高效率、低功耗、高可靠性等优点，适用于电源管理、电机控制、车载电子、通讯设备等领域。其8SOP封装形式，使得该芯片具有易于安装、维护方便的特点，适合于大规模生产。 在使用该芯片时，可以采用多种方案进行应用。首先，可以通过电源管理芯片配合使用，实现电源系统的智能化控制，提高电源系统的效率和使用寿命。其次，可以