Rohm罗姆半导体SP8M51TB1芯片MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8M51TB1芯片：SP8M51TB1是一款高性能的MOSFET N/P-CH芯片，采用8引脚SOP封装，适用于各种电子设备中。该芯片具有多种技术特点，如高电压、大电流、高效率等，适用于各种应用场景。 技术特点： * 电压范围广泛，最高可达100V，电流最大可达3A/2.5A； * 芯片内部结构紧凑，具有高效率和高可靠性； * 采用先进的半导体工艺技术，具有优异的性能和稳定性； * 适用于各种电子设备，如电源管理、电机驱动、LED照明等。 方案应用： * 在电源管理领域，

Rohm罗姆半导体MP6K31TR芯片MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体MP6K31TR芯片MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体MP6K31TR芯片是一款高性能的MOSFET器件，采用2N-CH 60V 2A MPT6技术制造，具有出色的性能和可靠性。该芯片广泛应用于各种电子设备中，特别是在电源管理、电机控制和汽车电子领域中发挥着重要作用。 MP6K31TR芯片具有快速导通和断弧性能，能够在瞬间承受大电流和高电压，从而有效地保护电路免受损坏。此外，该芯片还具有低饱和电压和低栅极电荷等特点，使得开关速度

Rohm罗姆半导体SP8J5FU6TB芯片MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8J5FU6TB芯片MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其SP8J5FU6TB芯片是一款高性能的MOSFET芯片，具有2P-CH、30V、7A等特性，适用于各种电子设备。 SP8J5FU6TB芯片采用先进的MOSFET技术，具有高效率、低功耗、高耐压、高电流等优点。该芯片的2P-CH特性使其适用于双通道应用，可以满足一些特殊电子设备的需要。此外，该芯片的30V和7A参数也使其在需要高电压和大电流的场

Rohm罗姆半导体SP8J3FU6TB芯片MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8J3FU6TB芯片MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其SP8J3FU6TB芯片是一款高性能的MOSFET芯片，具有2P-CH、30V、3.5A等技术规格，适用于各种电子设备。 SP8J3FU6TB芯片采用先进的MOSFET技术，具有高效率、低功耗、高耐压、高电流等优点。它适用于各种电源管理、电机驱动、电路保护等应用场景。该芯片的8SOP封装形式，使得它更容易集成到各种电路板中，从而提高了系统

亿配芯城接入DEEPSEEK AI 大模型,让芯片采购更灵活

4月22日，在芯片技术迭代加速与 AI 深度渗透的双重驱动下，亿配芯城正式宣布接入 DeepSeek 大模型，推出智能芯片顾问服务。通过融合行业级语义理解与垂直领域知识库，亿配芯城将传统芯片采购中的参数查询、特性解析、手册解读与场景适配四大环节进行智能化升级，打造覆盖 "需求输入 - 方案输出 - 技术输出" 的端到端 AI 解决方案。 一、关键参数：毫秒级精准响应，突破数据壁垒 面对全球超 3000 万种芯片型号 的复杂参数体系，亿配芯城 AI 助手依托 DeepSeek 的千亿级参数模型，

Rohm罗姆半导体SP8M9FU6TB芯片MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8M9FU6TB芯片：MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体SP8M9FU6TB芯片是一款高性能的MOSFET N/P-CH，具有30V的额定电压和高达9A/5A的连续电流。这款芯片适用于各种电子设备，包括电源管理IC、电机驱动器、开关电源等。 该芯片采用先进的8SOP封装技术，具有高集成度、低功耗、高效率等特点。这种封装技术不仅提高了芯片的稳定性和可靠性，还降低了生产成本，提高了生产效率。 在应用方面，Rohm罗姆半导

Rohm罗姆半导体SP8M8FU6TB芯片MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8M8FU6TB芯片MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP的技术与方案应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其SP8M8FU6TB芯片是一款高性能的MOSFET N/P-CH芯片，具有30V和6A/4.5A的出色性能，适用于各种电子设备。 SP8M8FU6TB芯片采用了先进的工艺技术，具有高导通性能、低导通电阻、高开关速度等优点，适用于各种电源管理、电机驱动、逆变器等应用场景。该芯片的封装形式为8SOP，方便了电路板的安装和调试。

Rohm罗姆半导体SP8M3FU6TB芯片MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8M3FU6TB芯片MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体SP8M3FU6TB芯片是一款高性能的N/P-Channel MOSFET，具有30V、5A/4.5A的出色性能。这款芯片广泛应用于各种电子设备中，尤其在电源管理、电机控制、LED照明等领域中具有广泛的应用前景。 SP8M3FU6TB芯片采用先进的8引脚SOIC封装，具有高效率、低功耗、高频率等特点，适用于各种电源管理系统的开关模式电源。同时，该芯片还具有高栅

Rohm罗姆半导体SP8M2FU6TB芯片MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8M2FU6TB芯片MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其SP8M2FU6TB芯片是一款高性能的MOSFET N/P-CH芯片，具有30V和3.5A的规格，适用于各种电子设备。 SP8M2FU6TB芯片采用先进的工艺技术，具有高效率、低功耗、高速度等优点。该芯片具有出色的热性能和电气性能，能够在高温和高电压环境下稳定工作，适用于各种恶劣环境下的电子设备。此外，该芯片还具有低噪声和高耐压性，能够

Rohm罗姆半导体SP8K22FU6TB芯片MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8K22FU6TB芯片MOSFET技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其SP8K22FU6TB芯片是一款高性能的MOSFET芯片，具有2N-CH 45V 4.5A 8SOP的技术规格。这款芯片在许多领域都有着广泛的应用，下面将对其技术和方案应用进行介绍。 首先，我们来了解一下SP8K22FU6TB芯片的技术特点。该芯片采用了先进的MOSFET技术，具有高导通性能和高耐压性能，能够在高温和高电压环境下稳定工作。此外，该芯片还具有低导通电阻和快速响应

Rohm罗姆半导体SP8K3FU6TB芯片MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8K3FU6TB芯片MOSFET技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体SP8K3FU6TB芯片是一款高性能的MOSFET器件，具有2N-CH 30V 7A 8SOP的技术规格。这款芯片适用于各种电子设备中，如电源管理、电机控制、车载电子等。 首先，我们来了解一下MOSFET的基本原理。它是一种电压控制器件，可以通过控制电压来控制电流。SP8K3FU6TB芯片的2N-CH结构使其具有更高的开关速度和更低的导通电阻，从而在需要快速响应和高效电源管理的应用中表现出色。 在应用方面，

Rohm罗姆半导体SP8K1FU6TB芯片MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8K1FU6TB芯片是一款高性能的MOSFET器件，采用2N-CH 30V 5A 8SOP封装形式。该芯片具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点，适用于各种电源管理、电机驱动、变频控制等领域。 首先，该芯片采用先进的半导体工艺技术制造而成，具有优异的电气性能和可靠性。其次，该芯片具有快速响应的能力，可以在短时间内实现电压和电流的调节，从而提高了系统的稳定性和效率。此外，该芯片还具有低功耗、低噪声、高隔离性能等优点，适用于各种复杂的应用场景。 在方案应用方面，Rohm罗姆半导