Rohm罗姆半导体QS8M11TCR芯片MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体QS8M11TCR芯片：MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体推出的新型MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8芯片，采用先进的TSMT8技术，具有出色的性能和可靠性。该芯片适用于各种电子设备，如电源管理、电机控制、LED照明等。 该芯片采用先进的沟槽式结构，具有高导通电阻和快速响应速度的特点。它能够在30V的工作电压下，提供高达3.5A的连续电流输出，适用于需要大电流应用的场合。此外，该芯片还具有低功耗、低

Rohm罗姆半导体VT6K1T2CR芯片MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6的技术和方案应用介绍

标题：Rohm罗姆半导体VT6K1T2CR芯片MOSFET VMT6技术应用介绍 Rohm罗姆半导体VT6K1T2CR芯片是一款高性能的MOSFET器件，采用VMT6技术，具有多种应用方案。该芯片具有2N-CH 20V 0.1A的规格，适用于各种电子设备中。 首先，VT6K1T2CR芯片的VMT6技术具有高开关速度和低损耗的特点，使其在电源管理、电机控制、消费电子和其他需要高效能的电子设备中具有广泛的应用前景。其次，该芯片的MOSFET器件具有高耐压和低导通电阻的特点，使其在需要大电流和高功率

Rohm罗姆半导体HP8KE7TB1芯片MOSFET 2N-CH 100V 10A/24A 8HSOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体HP8KE7TB1芯片：MOSFET 2N-CH 100V 10A/24A 8HSOP的技术和方案应用介绍 Rohm罗姆半导体HP8KE7TB1芯片是一款高性能的MOSFET器件，采用2N-CH技术制造，具有100V和10A/24A的额定电压和电流规格。该芯片适用于各种电子设备，如电源管理、电机控制、智能功率转换等。 HP8KE7TB1芯片具有出色的导通特性，可在极短的时间内从高电压降至低电压，从而有效地降低功耗并提高效率。此外，该芯片还具有极低的饱和电压和极高的开关速度，使

Rohm罗姆半导体HP8KB7TB1芯片40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体HP8KB7TB1芯片：HP8KB7TB1是一款采用HP8KB7TB1型号的芯片，具有40V 24A的强大性能，适用于各种电子设备中。HP8KB7TB1芯片采用了独特的双NCH+NCH技术，HSOP8封装形式，以及先进的PO技术，为电子设备提供了更高的性能和更低的功耗。 HP8KB7TB1芯片的优点在于其强大的电压和电流能力，适用于需要高功率、高效率的电子设备中。双NCH+NCH技术能够提供更快的响应速度和更高的效率，同时降低了功耗和发热量。HSOP8封装形式使得芯片更加紧凑

Rohm罗姆半导体SP8M24HZGTB芯片MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SP8M24HZGTB芯片MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体SP8M24HZGTB芯片是一款高性能的MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP，适用于各种电子设备中。该芯片采用先进的半导体技术，具有高效率、低功耗和高速响应等优点，是电子设备性能提升的关键因素。 该芯片采用先进的半导体工艺，具有高耐压、高电流和大功率等特点，适用于各种需要大功率开关的场合。其高速响应能力使得该芯片在高频应用中表现出色，大大提高了电

Rohm罗姆半导体SH8K4TB1芯片MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其SH8K4TB1芯片是一款高性能的MOSFET器件，具有出色的性能和可靠性。该芯片采用先进的工艺技术制造，具有高导通性能和低功耗特性，适用于各种电子设备中。 MOSFET器件是一种重要的半导体器件，具有高电子迁移率和高开关速度等优点，因此在电源管理、电机控制、消费电子等领域得到了广泛应用。Rohm SH8K4TB1芯片的规格参数为30V 9A，适用于需要高功率密度和高效能的应用场景。该芯片采用8SOP封装，便于集成和封装，可以满足不同客户的需求。

Rohm罗姆半导体SH8KE6TB1芯片MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SH8KE6TB1芯片：MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOP的技术与方案应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其生产的SH8KE6TB1芯片是一款高性能的MOSFET 2N-CH器件，具有100V和4.5A的规格，适用于各种电子设备。 MOSFET是一种重要的半导体器件，具有开关速度快、功耗低、易于集成等优点。Rohm的SH8KE6TB1芯片采用了先进的工艺技术，具有优异的性能和可靠性。它的栅极驱动电压范围宽，工作温度范围广，可以在各种恶劣

Rohm罗姆半导体HT8KE6TB1芯片MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体公司推出了一款重要的芯片——HT8KE6TB1，这款芯片采用了先进的MOSFET技术，具有2N-CH 100V 4.5A 8HSMT规格，适用于各种电子设备。 首先，我们来了解一下MOSFET技术。这是一种基于半导体原理的电子开关技术，具有快速响应、低功耗、高开关频率等优点。HT8KE6TB1芯片正是利用了这种技术，实现了更高的性能和更低的功耗。 其次，HT8KE6TB1芯片的规格为2N-CH 100V 4.5A 8HSMT，这意味着它可以承受更高的电压和电流，同时具有更高的

Rohm罗姆半导体HP8KC6TB1芯片60V 23A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体HP8KC6TB1芯片：60V 23A，DUAL NCH+NCH，HSOP8，PO技术应用介绍 Rohm罗姆半导体公司近期推出了一款高性能芯片HP8KC6TB1，该芯片具有60V，23A的输出能力，适用于各种电源管理应用。此款芯片采用DUAL NCH+NCH架构，具有更高的效率和更低的功耗，同时HSOP8封装也使其更易于集成和部署。 HP8KC6TB1芯片的主要特点包括：60V的电压范围，能够承受高电压输入；23A的电流输出，适用于大电流应用场景；DUAL NCH+NCH架构

Rohm罗姆半导体HP8ME5TB1芯片MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体HP8ME5TB1芯片：MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP的技术与方案应用介绍 Rohm罗姆半导体HP8ME5TB1芯片是一款高性能的MOSFET N/P-CH，采用8HSOP封装，具有100V和3A/8.5A的额定值，适用于各种电子设备。这款芯片以其出色的性能和稳定性，广泛应用于电源管理、电机控制、电路保护等众多领域。 HP8ME5TB1的特点在于其高导通性能、快速响应时间和优秀的热稳定性。这些特性使得它在高频率、高功率的应用场景中表现出色，大

Rohm罗姆半导体SH8KA4TB1芯片MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其SH8KA4TB1芯片是一款高性能的MOSFET器件，具有2N-CH结构，能够提供30V和9A的电流容量。这款芯片适用于各种电子设备，如电源管理IC、LED照明、充电器等。 该芯片采用8SOP封装，具有优良的电气性能和可靠性，同时易于集成。其优势在于高效率、低功耗和低噪声，因此在许多应用中具有广泛的应用前景。 在方案应用方面，SH8KA4TB1芯片可以应用于LED驱动电路中。由于其高电流容量和低导通电阻，能够有效地提高LED照明的效率，同时降低功

Rohm罗姆半导体SH8M3TB1芯片MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP的技术和方案应用介绍

Rohm罗姆半导体SH8M3TB1芯片MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP技术与应用介绍 Rohm罗姆半导体是一家全球知名的半导体公司，其SH8M3TB1芯片是一款高性能的MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP芯片，具有广泛的应用领域。 该芯片采用先进的工艺技术，具有高速度、低损耗、高耐压等特点，适用于各种电子设备，如电源管理芯片、LED照明、通信设备等。其8SOP封装设计使得该芯片易于集成和制造，同时提供了良好的散热性能，确保了芯片的高可靠性。